采用英特尔3D XPoint技术的内存模块正在开发中，北卡罗莱纳州的研究人员已经找到了如何让它们变得更好。新提交者mnemotronic写道：在第45届ICSA（国际计算机体系结构研讨会）上，来自北卡罗来纳州立大学的Yan Solihin教授领导的一组研究人员提出了一种称为延迟一致性的方法，以加速对3D XPoint存储器的写入操作。

由Intel和Micron开发的XPoint是非易失性的，比DRAM更便宜和密度更高，但需要更多的电力，写入需要更长的时间。通过将校验和合并到高速缓冲存储器系统，所提出的方法将写入开销时间从9％减少到1％。研究人员无法验证他们在实际XPoint存储器上的方法，因为这些产品最近才开始采样。他们使用模拟和DRAM进行测试，并计划验证英特尔的模块何时变得更加广泛。

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